台积电1nm制程取得突破：预计2028年实现量产

台积电本周宣布，其1nm制程研发取得重大突破。在现有的纳米片晶体管架构基础上，台积电成功引入新型二维材料电极触点，使得晶体管密度在相同功耗下提升了40%。

关键突破

台积电1nm制程的核心创新在于采用了新型半金属（Semi-metal）触点材料和改进的CFET（互补 FET）架构。这一突破解决了1nm以下制程中最为棘手的漏电流和量子隧穿效应问题。

量产时间表

台积电表示，1nm制程将在2027年进入预量产阶段，2028年开始风险量产。主要客户已锁定苹果、英伟达和AMD等芯片设计巨头。

行业影响

三星和英特尔此前宣布将在2027-2028年实现2nm量产，台积电的1nm突破意味着其将继续保持至少一代的技术领先。分析师预计，新制程将使得AI芯片性能在2028-2029年迎来新一轮爆发。