铁电内存芯片FerroCore发布：断电不丢失数据速度比NAND快100倍

铁电内存芯片FerroCore发布：断电不丢失数据速度比NAND快100倍

三星半导体今日在首尔正式发布全球首款商用铁电内存芯片FerroCore。该芯片基于氧化铪（HfO₂）铁电薄膜技术，首次在单一存储介质上实现了DRAM级别的读写速度和闪存级别的数据持久性。

FerroCore的核心技术突破在于解决了氧化铪铁电薄膜的疲劳问题。传统铁电材料在反复极化翻转后会出现性能退化，而三星通过掺杂铝和氮元素，将铁电薄膜的耐久性从10⁶次提升至10¹²次，达到了商用标准。

三星半导体存储事业部总裁朴在贤表示：「FerroCore将终结存储器领域的金字塔结构。未来计算机不再需要同时配备DRAM和NAND，一种芯片即可满足所有需求。」

规格方面，FerroCore首批产品为8Gb容量，采用三星第三代14纳米工艺制造。读写延迟为5纳秒（DRAM级别），数据保持时间超过10年（闪存级别），功耗仅为同容量DRAM的三分之一。接口兼容DDR5标准，可直接替换现有DRAM模组。

在内部基准测试中，搭载FerroCore的服务器在数据库查询场景下性能提升40%，因为系统不再需要在DRAM和NAND之间频繁搬运数据。冷启动时间从45秒缩短至3秒，因为操作系统可以直接从FerroCore加载而无需从闪存解压。

英特尔架构副总裁丽莎·帕特尔评论：「铁电内存是存储器行业追逐了二十年的圣杯。三星这次真正实现了商用化，将对整个计算架构产生深远影响。」

FerroCore将于2031年第二季度量产，首批客户为微软Azure和亚马逊AWS。消费级版本预计2031年下半年上市，8GB模组定价约120美元，与高端DDR5价格相当。